एंटी रिफ्लेक्टिव फिल्म के निर्माण प्रक्रिया

तकनीकी प्रक्रिया २.
विकास सामग्री आ गैस स्रोत उपलब्ध कराउ: एंटी रिफ्लेक्टिव फिल्म कें लेल विकास सामग्री प्रदान करनाय, जेना कि किछु अवतारक मे एसआईओ, जखन कि विकास सामग्री कें अनुरूप गैस स्रोत प्रदान करय छै, जेना कि SiH 2 O, N 2 O, आ N 2 गैस स्रोत संयोजन..
एंटी रिफ्लेक्शन लेयर के गठन: सब्सट्रेट परत पर एंटी रिफ्लेक्शन फिल्म के कम स कम दू एंटी रिफ्लेक्शन लेयर के क्रमिक रूप स बनबाक लेल एकहि विकास सामग्री के प्रयोग करू. सब्सट्रेट परत में फिल्म के विकास के दिशा में अनुक्रम में एसआईओ परत, एसआई परत, आ अवशोषण परत शामिल भ सकैत अछि. दू-स्तरीय प्रतिबिंबित परत के रूप में बनल अछि (पहिल प्रतिबिंबित परत के रूप में एक प्रतिबिंबित परत के रूप में। संवर्धित रासायनिक वाष्प अवक्षेपण विधि PECVD). विशिष्ट चरण निम्नलिखित अछि:
सब्सट्रेट प्रसंस्करण: सब्सट्रेट परत पर अर्धचालक सफाई प्रक्रिया के बाद, सब्सट्रेट परत को सीवीडी अवक्षेपण उपकरण पर रखें.
उपकरण पैरामीटर सेटिंग्स: CVD अवक्षेपण उपकरणों के ऊपरी इलेक्ट्रोड तापमान को 200-300 डिग्री और निम्न इलेक्ट्रोड तापमान के लिए 250-350 डिग्री . तक नियंत्रित करें |
प्रथम विरोधी प्रतिबिंब परत की वृद्धि: सीवीडी अवक्षेपण उपकरणों के प्रथम अवक्षेपण पैरामीटरों को समायोजित करें, जिसमें SiH 2 के प्रथम आयतन प्रवाह दर, और n 2, प्रथम गैस दबाव, CVD अवक्षेपण उपकरणों की प्रथम आरएफ शक्ति, एक प्रेरकता परत के प्रथम पतली प्रतिबिंब परत के साथ प्रथम पतली प्रतिबिंब परत के साथ उग को उगाने के लिए प्रथम आरएफ शक्ति 1.4-1.71. की सीमा।
एक दूसरा एंटी परावर्तन परत की वृद्धि: सीवीडी अवक्षेपण उपकरणों के द्वितीय अवक्षेपण पैरामीटरों को समायोजित करें, जिसमें सिह ‐, n 2 o की द्वितीय आयतन प्रवाह दर, और n 2, द्वितीय गैस दबाव, सीवीडी अवक्षेपण उपकरणों की द्वितीय आरएफ शक्ति, एक दोसरा प्रतिबिंबित परत के एक दोसरा प्रतिबिंब परत के साथ एक दोसरा प्रतिबिंबित परत के साथ, एक दोसरा प्रतिबिंबित परत के साथ, एक अन्य प्रतिबिंबित परत के साथ,|10-200एनएम और एक अपवर्तक सूचकांक सीमा 1.4-1.71.

तकनीकी फायदा 10।
एक ही विकास सामग्री के उपयोग करकय, एंटी रिफ्लेक्शन फिल्म विभिन्न सामग्री के ढेर एंटी रिफ्लेक्शन फिल्म के तुलना में एक ही एंटी रिफ्लेक्शन प्रभाव प्राप्त कर॑ सकै छै, जेकरा में उपयोग करलऽ गेलऽ गैस स्रोतऽ के प्रकार कम होय जाय छै, तैयारी प्रक्रिया के कठिनाई कम होय जाय छै, आरू तैयारी प्रक्रिया के दौरान गैस स्रोतऽ के भंडारण आरू उपयोग के कारण तैयारी के जगह आरू कार्य क्षेत्र में वृद्धि करलऽ जाय सकै छै.

हाइब्रिड SIO 2/TIO 2 के निर्माण प्रक्रिया एंटी रिफ्लेक्टिव फिल्म

तकनीकी प्रक्रिया २.
सब्सट्रेट कें तैयारी: कांच, कार्बनिक ग्लास, पॉलीइमाइड फिल्म, आदि जैना पारदर्शी सब्सट्रेट कें चयन करूं, आ दाग हटावय कें उपचार करनाय सुनिश्चित करय कें लेल एकटा साफ आ धूल-मुक्त सतह. यदि आवश्यक होय, त प्रकाश संचरण दक्षता मे सुधार कें लेल एकल-साइडेड या डबल-साइडेड पॉलिशिंग कैल जा सकय छै.
फिल्म पूर्ववर्ती के तैयारी: टेट्राएथोक्सीसिलेन (TEOS) आ टेट्राब्यूटाइल टाइटेनेट (TBT) के एक निश्चित अनुपात में NH ₄ OH युक्त इथेनॉल में मिलाओल गेल अछि, आ प्रतिक्रिया के 9-12} घंटा के लेल पकड़ल गेल अछि जाहि सं एकटा पारदर्शी सोल - जेल सिस्टम प्राप्त कयल जा सकैत अछि.
कोटिंग आ क्यूरिग: तैयार सोल जेल प्रणाली पारदर्शी सब्सट्रेट पर समान रूप सं लेपित रहैत अछि, आ स्पिन कोटिंग, छिड़काव, ब्रश आ अन्य योजनाक उपयोग कएल जा सकैत अछि. कोटिंग के बाद, हाइब्रिड सियो 2/टीआईओ 2 फिल्म पूर्ववर्ती के इलाज आ एनीलिंग के लेल एकटा ओवन में राखल गेल अछि, जे बहु-परत संरचना बनबैत अछि}
परिपत्र कोटिंग: कोटिंग आरू क्यूरिग प्रक्रिया क॑ दोहराबै छै जब तलक वांछित एंटी रिफ्लेक्टिव प्रभाव प्राप्त नै होय जाय छै. अलग-अलग कोटिंग समय आरू अनुक्रम एंटी रिफ्लेक्टिव फिल्मऽ के प्रदर्शन क॑ प्रभावित करतै, आरू शोध आरू अनुकूलन के जरूरत छै{.
सतह उपचार : एंटी रिफ्लेक्टिव फिल्म केरऽ स्थायित्व आरू स्थिरता बढ़ाबै लेली, हाइड्रोफिलिक आरू जलभय बहुलक केरऽ एक परत क॑ एंटी रिफ्लेक्टिव फिल्म केरऽ सतह प॑ लेपित करलऽ जाब॑ सकै छै.

इन्फ्रारेड एंटी रिफ्लेक्टिव फिल्म के निर्माण प्रक्रिया
तकनीकी प्रक्रिया २.
The infrared anti reflection film is based on silicon and coated with anti reflection films on both sides of the substrate. The film system structure of the anti reflection film is independent of each other as (HL) ^ S, where H represents the Si layer, L represents the SiO layer, S represents the period of the HL basic structure, and the value of S is an integer between 3-6. The Si layer is adjacent to the सब्सट्रेट, आरू SIO परत सतह पर स्थित होय छै. कोटिंग प्रक्रिया के उपयोग फिल्म परत क॑ सब्सट्रेट स॑ जोड़ै लेली करलऽ जाय छै, जेकरा म॑ SIO फिल्म परत सबसें बाहरी परत के रूप म॑ होय छै, जेकरा म॑ सतह केरऽ कठोरता उच्च होय छै आरू एकरऽ अतिरिक्त एक अतिरिक्त सुरक्षात्मक परत के आवश्यकता नै होय छै. अतिरिक्त रूप स॑, SIO म॑ एक कम अपवर्तन स॑ कम होय सकै छै, जे सतह प॑ प्रतिबिंबितता क॑ कम करी सकै छै}

उच्च तापमान प्रतिरोधी CO 2 लेजर एंटी रिफ्लेक्टिव फिल्म के निर्माण प्रक्रिया
तकनीकी प्रक्रिया २.
सामग्री पूर्व पिघलना: अलग पूर्व पिघलने उपचार Yttrium फ्लोराइड, कैल्शियम Yttrium फ्लोराइड, और जिंक सेलेनाइड फिल्म सामग्री पर फिल्म सामग्री के अंदर अशुद्धि को हटाने के लिए किया जाता है.
अवक्षेपण फिल्म परत: प्रथम Yttrium फ्लोराइड परत, Yttrium कैल्शियम फ्लोराइड परत, जिंक सेलेनाइड परत, और द्वितीय yttrium फ्लोराइड परत एक जिंक सेलेनाइड सब्सट्रेट परत पर एक मोटाई के साथ एक मोटाई के साथ एक मोटाई के साथ 0{2}1mm के ओवर कवरेज के साथ एक मोटाई के साथ जमा ककया गया है {4} परत. प्रत्येक परत के लेल भौतिक मोटाई के आवश्यकता निम्नलिखित अछि: पहिल Yttrium फ्लोराइड परत के भौतिक मोटाई 95-100 नैनोमीटर अछि; यटरबियम कैल्शियम फ्लोराइड परत केरऽ भौतिक मोटाई 860-870 नैनोमीटर छै; जस्ता सेलेनाइड परत केरऽ भौतिक मोटाई 240-250 नैनोमीटर छै; दूसरी यट्रियम फ्लोराइड परत के भौतिक मोटाई 95-100 नैनोमीटर है |
 

तकनीकी फायदा 10।
The prepared anti reflection membrane has a simple structure and exquisite design. The four layer combination has the characteristics of high temperature resistance, high transmittance, firm membrane layer, complementary stress between membrane layers, and non rupture of membrane layers. It can meet the continuous operation of components under high temperature conditions, and the materials used in each layer are non radioactive, which will not cause damage to operators and the environment.